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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9125NR1 MRFE6S9125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
14
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
80
22
C
60
21
50
30
20
1 10 100
18
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
10
ηD
300
85
20
19
40
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 24 V
280
16
21
0 20040
80 120 160 240
17
19
18
20
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
28
V
32
V
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 13. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device is
operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 27 W Avg., and
ηD
= 31%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools
(Software & Tools)/Calculators to access MTTF calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
17
C
70
25
15
16
VDD= 28 Vdc
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
TC
= ?30
C
25C
85C
?30C
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